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丁士进

系别: 微电子学院
职称: 教授 研究员
职务:
办公室: 邯郸微电子学楼314室
电话: 55664845
E-mail: sjding@fudan.edu.cn
主页:
   
教育背景
7/1/2001   复旦大学    博士研究生
10/1/2001至11/1/2002   德国基尔(Kiel)大学做博士后研究   任Research?Fellow?of?Alexander?von?Humboldt?Foundation
研究方向
纳米结构闪存器件 MIM结构新器件 深亚微米集成电路互连工艺和材料 先进MOSFET材料与工艺
课程教学
本科课程:深亚微米工艺技术
研究生课程:微电子材料与工艺理论
学术兼职
美国电气工程师协会(IEEE)会员
论文评审人
国内期刊《半导体学报》、Chinese Physics Letters审稿人
International Symposium on Safety and Structural Integrity 2007技术委员会(上海.中国)委员
2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (October 20-23, Beijing China)程序委员会.委员
科研项目
?教育部科学技术研究重点项目:高密度金属性纳米晶的二维可控生长及其在存储器中的应用
新世纪优秀人才支持计划:金属纳米晶存储器关键材料和工艺研究
重大专项项目子课题:嵌入式闪存基础理论和新型材料的研究
重大专项项目子课题:铪基、锆基高k栅介质材料及其原子层淀积关键制备技术
“973”项目子课题:新型互连及基础问题研究
论文著作
1. Applied Physics Letters, 93(9), 092909 (2008),Electrical characteristics and conduction mechanisms of metal-insulator-metal capacitors with nanolaminated Al2O3-HfO2 dielectrics,,93(9),
2.Journal of Physics D: Applied Physics, 41(3), 032007 (2008), Physical and electrical characterization of atomic-layer-deposited Ru nanocrystals embedded into Al2O3 for memory applications,,41(3),
3.Applied Physics Letters, 91 (2), 022908 (2007) ,Multistacked Al2O3/HfO2/SiO2 tunnel layer for high-density nonvolatile memory application,,91 (2),
4.Journal of Applied Physics, 102 (7), 073706 (2007). ,High temperature conduction behaviors of HfO2/TaN-based metal-insulator-metal capacitors,,102 (7),
5.Journal of Vacuum Science & Technology A,Investigation of atomic-layer-deposited ruthenium nanocrystal growth on SiO2 and Al2O3 films,,25(4),775-780
6.Applied Physics Letters, 88, 042905 (2006). ,High density and program-erasable metal-insulator-silicon capacitor with a dielectric structure of SiO2/ HfO2-Al2O3 nanolaminate/Al2O3,,,
7. Applied Physics Letters, 87, 053501 (2005) ,Atomic-layer-deposited Al2O3-HfO2-Al2O3 dielectrics for metal-insulator-metal capacitor applications,,,
8. IEEE Electron Device Letters,Evidence and Understanding of Atomic-Layer-Deposited HfO2-Al2O3 Laminate MIM Capacitors Outperforming Sandwich Counterparts,,25 (10),681-683
9.IEEE Transactions on Electron Devices,RF, DC and Reliability Characteristics of Atomic Layer Deposited HfO2-Al2O3 Laminate MIM Capacitors for Si RF IC Applications,,51 (6) ,886-894
10.IEEE Electron Device Letters,High Performance MIM Capacitor using ALD high-κ HfO2-Al2O3 Laminate Dielectrics,,24 (12),730-732
获奖情况
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