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蒋玉龙

系别: 微电子学院
职称: 教授 博导
职务:
办公室:
电话: 65643768
E-mail: yljiang@fudan.edu.cn
主页: http://homepage.fudan.edu.cn/~yljiang
   
教育背景
9/1/1995至7/1/1999   复旦大学   本科学生
7/1/1999至7/1/2002   复旦大学   硕士研究生
9/1/2002至7/1/2005   复旦大学   博士研究生
研究方向
纳米CMOS器件源、漏、栅金属化工程、新型纳米电子器件和工艺
课程教学
本科课程:半导体物理》《半导体器件原理》
学术兼职
第三届(INEC-2010)IEEE纳米电子学会议 信息主席
第九届(IWJT-2009)国际结技术会议执行委员会主席
科研项目
教育部霍英东教育基金会第11届高校青年教师优选资助课题:下一代(65nm以下)金属(硅化物)栅技术的研究,负责人
2007年度上海市青年科技启明星(A类)计划:纳米CMOS器件中新型镍合金全硅化物金属栅材料和工艺研究,负责人
国家自然科学基金:纳米CMOS器件源漏新型低接触电阻材料和工艺研究,负责人
AM基金:纳米CMOS器件中新型低势垒源漏接触关键技术研究,负责人
论文著作
1.J. Electron. Material,The reaction characteristics of ultra thin Ni film on undoped and doped Si (100),,,770-773
2.Appl. Phys. Lett,Nickel silicidation on n and p-type junctions at 300oC,,, 410-412
3.J. Appl. Phys,Ni/Si solid phase reaction studied by temperature-dependent current-voltage technique,,,866-870
4.Appl. Surf. Sci,Study of Ni/Si(1 0 0) solid-state reaction with Al addition,,,5631-5634
5.Microelectron. Eng,Study of Ni/Si(100) solid-state reaction with Y addition,,,2013-2015
6.J. Electron. Material,Paul K Chu,Silicidation of Ni(Yb) Film on Si(001),,,245-248
7. J. Appl. Phys., 101, 053705(2007). ,Schottky contact barrier height extraction by admittance measurement,,,
8.J. Mater. Res, Linear growth of Ni2Si thin film on n+/p junction at low temperature,,,3017-3021
9. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B,Nickel silicide formation on shallow junctions,,,160-166
10.Electron. Lett,Ramp rate dependence of NiSi formation studied by the silicided Schottky contact,,,103-104
11.J. Appl. Phys., 102, 033508(2007),Growth of Pinhole Free Ytterbium Silicide Film by Solid-State Reaction on Si(001) with a Thin Amorphous Si Interlayer,,,
12.J. Vac. Sci. Technol. A,Oxidation suppression in ytterbium silicidation by Ti/TiN bi-capping layer,,,285-289
13. J. Electron. Material,Wayne Holland,Arsenic redistribution induced by low temperature Ni silicidation at 450oC on shallow junctions,,,937-940
14.Semicond. Sci. Technol. 20,Electrical characterization of NiSi/Si interfaces formed by a single and a two-step rapid thermal silicidation,,,716-719
15.Extented Abstracts of the 7th International Workshop on Junction Technology (IWJT2007),Kyoto, Japan,Oxidation Suppression for YbSi2-x Formation and New Method to Extract Schottky Barrier Height by Admittance Measurement,,,93-98
16.第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集,下册 (半导体学报,27, 增刊, 385-388 (2006).),非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用研究,,,11-14
获奖情况
《半导体物理》课程被评为2008年度复旦大学精品课程和上海市教委重点立项课程
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