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江安全

系别: 微电子学院
职称: 教授 研究员
职务:
办公室: 微电子净化楼315室
电话: 021-55664098
E-mail: aqjiang@fudan.edu.cn
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教育背景
   兰州大学材料科学系    本科学生
   中国科学院固体物理研究所   博士研究生
   中科院物理所   博士后
   剑桥大学地球科学系和工程系   博士后
研究方向
1、基于CMOS工艺后端的不挥发薄膜存储器:铁电薄膜存储器(FeRAM),变阻存储器(RRAM),相变存储器(PCRAM),非挥发闪存(FLASH)等;
2、新型纳米半导体器件、铁电液晶和压电、热释电材料等;
3、高介电常数的铁电材料研制及其在微波器件上的应用。
课程教学
本科课程:《铁电材料和器件》
研究生课程:《铁电薄模材料》
学术兼职
国际集成铁电会议(ISIF)顾问委员会委员
科研项目
国家自然科学基金:大幅度提高铁电场效应管(FeFET)中存储电荷保持时间的研究
上海市浦江人才计划:非挥发存储、快速读写和高密度铁电薄膜存储器件的设计和工艺集成技术
上海市基础研究重点项目:量子隧道开关在信息存储中的应用
上海市高校特聘教授(东方学者)基金:
论文著作
1.Appl. Phys. Lett. 89, 32906 (2006),,,,
2.J. Appl. Phys.101, 56103 (2007),,,,
3. J. Appl. Phys. 101, 104105 (2007),,,,
4.Appl. Phys. Lett. 89, 32906 (2007),,,,
5.Appl. Phys. Lett. 91,082901(2007),,,,
6. J.Appl. Phys. 102, 074118 (2007) ,,,,
7.J. Appl. Phys. 102, 074109(2007),,,,
8.Appl. Phys. Lett. 91, 202906(2007),,,,
9.J. Appl. Phys. 103, 124112 (2008),,,,
10.J. Appl. Phys. 104, 024104 (2008),,,,
11.Appl. Phys. Lett. 93, 212908 (2008),,,,
12.Chin. Phys. Lett. 26, 017701 (2009),,,,
13.J. Appl. Phys. (accepted, 2009),,,,
14.Adv. Mater. (accepted, 2009),,,,
获奖情况
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