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仇志军

系别: 微纳系统中心
职称: 教授
职务:
办公室: 物理楼435室
电话: 55664269
E-mail: zjqiu@fudan.edu.cn
主页:
   
教育背景
1998/09至2001/06   中国科学院上海应用物理研究所,硕士   
1994/09至1998/06   山东大学物理系,学士   
2001/09至2004/06   中国科学院上海技术物理研究所,博士   
研究方向
柔性电子器件与工艺
课程教学
本科生课程:集成电路工艺原理、半导体器件原理
研究生课程:碳电子学、电子器件中的噪声分析、IC工艺与器件的计算机模拟、纳米尺度半导体器件物理
学术兼职
科研项目
承担国家自然科学基金和上海市自然科学基金各一项,参与973项目一项:
论文著作
1.Effects of carbon on Schottky barrier heights of NiSi modified by dopant segregation,IEEE Electron Device Letters,2009,30(6),608-610
2.A comparative study of two different schemes to dopant segregation at NiSi/Si and PtSi/Si interfaces for Schottky barrier height lowering,IEEE Transactions on Electron Devices ,2008,55(1),396-403
3.SB-MOSFETs in UTB-SOI featuring PtSi source/drain with dopant segregation,IEEE Electron Device Letters,2008,29(1),125-127
4.Performance fluctuation of FinFETs with Schottky barrier source/drain,IEEE Electron Device Letters,2008,29(5),506-508
5.Schottky-barrier height tuning by means of ion implantation into preformed silicide films followed by drive-in anneal,IEEE Electron Device Letters ,2007,28(7),565-568
6.Solution-processed logic gates based on nanotube/polymer composite,IEEE Transactions on Electron Devices,2013,60(8),pp.2542–2547
7.Small-hysteresis thin-Film transistors achieved by facile dip-coating of nanotube/polymer composite,Advanced Materials,2012,24(27),pp.3633–3638,
8.Mobility extraction for nanotube TFTs,IEEE Electron Device Letters ,2011,32(7),pp.913-915
9.Charge-injection-induced time decay in carbon nanotube network-based FETs,IEEE Electron Device Letters ,2010,31(10),1098-1100
10.Interaction of bipolaron with the H2O/O2 redox couple causes current hysteresis in organic thin-film transistors,Nature Communications,5, 2014,5:3185 doi: 10.1038/ncomms418,
获奖情况
2004年6月作为全国24名优秀博士生之一受中德科学中心邀请出席在德国林岛(Lindau)举行的第54届诺贝尔奖获得者大会(物理学专题)。
更新日期:2014年3月
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