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田朋飞

系别: 光源与照明工程系
职称: 青年副研究员
职务:
办公室: 物理楼435
电话: 021-65643707
E-mail: pftian@fudan.edu.cn
主页:
   
教育背景
2010至2014   英国Strathclyde大学光电研究所物理学   博士
2007至2010   北京大学物理学院凝聚态物理学   硕士
2003至2007   华中科技大学物理系应用物理学   学士
研究方向
1. 集成微纳光电器件:微纳米LED阵列、硅基LED、柔性LED、垂直结构LED
2. 光电器件应用:照明、微显示、可见光通信和光遗传学
课程教学
学术兼职
美国物理联合会(AIP)杂志与美国电气电子工程师学会(IEEE)杂志的审稿员
科研项目
参与英国工程与自然研究理事会(EPSRC)项目“超并行可见光通信”和“氮化镓基杂化和柔性光电器件”:
论文著作
1.Temperature dependent efficiency droop of blue InGaN micro-light emitting diodes,Appl. Phys. Lett.105,2014,171107,
2.Capability of GaN based micro-light emitting diodes operated at an injection level of kA/cm²,Opt. Express, 23,2015,16565,
3.Size-dependent capacitance study on InGaN-based micro-light-emitting diodes,J. Appl. Phys.116,2014,044512,
4.CMOS-controlled color-tunable smart display,IEEE Photon. J.4,2012,1639,
5.GaN-based LEDs with a high light extraction composite surface structure fabricated by a modified YAG laser lift-off technology and the patterned sapphire substrates,Semicond. Sci. Technol.26 ,2011,085008,
6.Phase distribution in eutectic AuSn layer changed by temperature ramping rate and its effect on the performance of GaN-based vertical structure LEDs,Mater. Sci. Eng. B175,2010,213,
7.Study on the formation of dodecagonal pyramid on nitrogen polar GaN surface etched by hot H3PO4 , Appl. Phys. Lett.95,2009,071114,
8.Characteristics and applications of micro-pixelated GaN-based light emitting diodes on Si substrates,J. Appl. Phys.115,2014,033112,
9.Size-dependent efficiency and efficiency droop of blue InGaN micro-light emitting diodes,Appl. Phys. Lett.101,2012,231110,
获奖情况
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