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茹国平

系别: 微电子学院
职称: 教授 博导
职务:
办公室: 微电子学楼311室
电话: 021-65643561
E-mail: gpru@fudan.edu.cn
主页: http://sme.fudan.edu.cn/faculty/personweb/ruguoping/index.htm
   
教育背景
7/1/1990   南京大学物理学系    本科学生
8/1/1995   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士研究生
10/1/1997至10/1/1998   比利时根特大学固态科学系   访问学者
研究方向
金属硅化物接触技术,微电子器件建模与模拟
课程教学
本科课程:半导体物理、半导体器件原理、半导体光电子器件
研究生课程:半导体器件物理、半导体器件工艺新技术、电子器件薄膜新材料
学术兼职
IEEE高级会员
科研项目
上海-应用材料研究与发展基金:锗硅器件接触技术研究
教育部中德国际合作项目:先进互连材料及概念
国家自然科学基金:金属/锗硅固相反应及其与杂质互作用研究
上海市自然科学基金:全硅化物化金属栅材料与工艺研究
论文著作
1.Appl. Surf. Sci., 255, 1744 (2008),Pre-doping effects on Ni fully silicided metal gate on SiO2 dielectric,,,
2.Proc. of ICSICT?2008, p. 1264,Alloying effects in Ni silicide for CMOS applications,,,
3.Microelectron. Eng., 85, 2032 (2008),Characterization of Ni/Ho and Ni/Er fully silicided metal gates on SiO2 gate dielectric,,,
4.Thin Solid Films, 516, 4252 (2008),Improvement of Er-silicide formation on Si(100) by W capping,,,
5.J. Vac. Sci. Technol. B, 26, 164 (2008),Erbium silicide formation and its contact properties on Si(100),,,
6.Appl. Surf. Sci., 254, 2120 (2008),Effect of erbium interlayer on nickel silicide formation on Si(100),,,
7.Microelectron. Eng., 85, 131 (2008),Yttrium silicide formation and its contact properties on Si(100),,,
8.复旦学报(自然科学版),反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅PN结,,,
9.半导体学报,Effect of Pt addition on the stress of NiSi film formed on Si(100),,,
10.半导体学报,电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结,,,
11.Extended Abstracts of IWJT-2005, p. 79.(邀请报告) ,Ti-capping and heating ramp-rate effects on Ni-silicide film and interface,,,
12.Solid-State Electron., 49, 606 (2005),Voltage dependence of effective barrier height reduction in inhomogeneous Schottky diodes,,,
获奖情况
1999----教育部科技进步三等奖
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